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toshiba 1SS315 肖特基二极管 5V 30mA 250mV/0.25V SOD323/SC-76/USC/0805 marking/标记 S2 UHF频段混频器

高频二极管的主要参数编辑1）整流电流IFM二极管在长期稳定工作时，允许通过的正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于IFM。2）可重复峰值反向电压VRRM指所能重复施加的反向峰值电压，通常是反向击穿电压VBR的一半。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。3）反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。Trr直接影响二极管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，Trr越小管子升温越小，效率越高。4）结电容CJ图1所示的PN结高频等效电路，其中r表示结电阻，CJ表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果，它的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大(主要决定于扩散电容CD)。当PN结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大，结电容较小 (主要决定于势垒电容CB) 。5）正向电压降VF二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。通常硅材料的二极管VF大于1V，锗材料、肖特基二极管为0.5V左右。6）反向电流IR指管子击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。反向电流IR与温度有密切联系，温度越高，反向电流IR会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。一般半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数，这是正确使用二极管的依据。在高频应用场合，要注意不要超过整流电流和反向工作电压的同时，还应特别注意二极管的工作频率（通常由反向恢复时间Trr和结电容CJ决定），否则电路工作不正常或者管子升温严重，影响可靠性。