深圳市海虹微电子有限公司

具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片 原产于PHILIPS，现在国内也有公司生产。军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等

类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管集电极-发射极电压VCEO：12V集电极-基极电压VCBO:20V发射极-基极电压VEBO:1.5V集电极直流电流IC:100mA总耗散功率(TA=25℃)Ptot:1200mW工作结温Tj:150℃贮存温度Tstg:-65~150℃封装形式：SOT-89或者SOT-23功率特性：中功率极性：NPN型结构：扩散型材料：硅(Si)封装材料：塑料封装

电性能参数（TA=25℃）：编辑击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V直流放大系数hFE: 60～250@VCE=10V,IC=20mA集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)特征频率fT:8.0GHz@ VCE=10V,IC=20mA集电极允许电流IC：0.1（A）集电极允许耗散功率PT：1.2（W）功率增益GUM：11.5dB@IC=20mA,VCE=10V,f=1GHz噪声系数NF：1.1dB@IC=20mA,VCE=10V,f=1GHz反馈电容Cre：0.65 pF @IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。