深圳市海虹微电子有限公司

类别：NPN-硅通用晶体管

集电极-发射极电压VCEO：12V

集电极-基极电压VCBO:20V

发射极-基极电压VEBO:3.0V

集电极直流电流IC:100mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0

直流放大系数hFE:50~300

集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)

发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)

特征频率fT:7.0GHz

封装：SOT-23

功率特性：中功率

极性：NPN

型结构：扩散型

材料：硅(Si)

封装材料：塑料封装

集电极允许电流：0.1（A）

集电极允许耗散功率：0.2（W）

2SC3356是高频NPN型小功率三极管。他的截止频率高达1.1G，通常用于微波频段（电视天线放大器等）。也可以用于0.2W以下小功率发射机、做射频放大用。