高速恢复(FRD:Fast Recovery Diode)
高速恢复二极管在结构上和一般整流二极管基本相同,但它是一种有白金、金等掺杂物质扩散在Si结晶中,增加了电子和空穴的再结合中心,关闭后少数载子会立刻被消灭的二极管。因此可以提高二极管的反向恢复特性(反向恢复时间:trr),实现高速动作。高效二极管(HED:High Efficiency Diode)
高效二极管比上述FRD速度更快,损失更低(正向电压较低),因此它使用外延晶圆,在利用导电调制效果(参考PIN二极管)来降低正向电阻的同时,通过追加重金属扩散,能在不损坏正向特性的情况下,提高反向恢复特性。HED用于比FRD更为高速的开关电路。